المسلك التكنولوجي لإنماء البلورة المفردة (InSb) ودراسة بعض خصائصها الفيزيائية
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
تم في هذا البحث إنماء بلورة مفردة من مركب InSb وبطريقة السحب من المنصهر النقي للمواد الأولية للمركب وباستخدام الفرن الحراري ذو النطاقين (two-zone furnes).درست بعض الخصاءص الفيزياوية للبلورة المنماة , حيث حدد التركيب البلوري للشرائح البلورية وكذلك الأغشية الرقيقة المرسبة بطريقة التبخير الحراري باستخدام مطياف الأشعة السينية (XRD) وأظهرت النتائج المستحصلة وجود شدة انعكاس عالية ومفردة تمثل اتجاه النمو البلوري للمستوي (220) لشرائح العينات البلورية بينما شدات انعكاس مختلفة لاتجاهات بلورية متعددة للأغشية الرقيقة تمثل التركيب البلوري المتعدد.
حددت الخصائص البصرية عند حافة الامتصاص الاساسية للعينات المحضرة بدرجة حرارة الغرفة وقيست فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها (0.16 eV) للشرائح البلورية المفردة و (0.17 eV) للأغشية الرقيقة المرسبة.
ان الهدف من هذا البحث هو دراسة ومقارنة بعض الخواص الفيزيائية لبلورات منمات احادية البلورة واغشية رقيقة لمادة (InSb) .
تفاصيل المقالة
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution 4.0 International License.
كيفية الاقتباس
المراجع
Udayashankar N. K., and Bhat H. L., 2001, "Growth and characterization of indium antimonide and gallium antimonide crystals", Bull. Mater. Sci., 7(a):744-752.
Morten, F.D., and King, R.E., 1965, "Growth and Transport Properties of Bi-Sb Single Crystal Alloys", Appl. Optics, 4(6):659-668.
Heremans, J., Portin, D. and Thrush, L. 1993, " Growth of InSb and InAs Thin Film properties ", C.M., Semicond. Sci. Technol., 40:542-549.
Hyun D. P., Prokesa S.M., Twigga M.E., Yong D., and Wang Z. L., 2007, (Growth of high quality, epitaxial InSb nanowires) Journal of Crystal Growth 304:399–401
Senthilkumar V., Venkatachalam S., Viswanathan C., Gopal S., Narayandass Sa. K., Mangalaraj D., Wilson K. C., and Vijayakumar K. P., 2005, "Influence of substrate temperature on the properties of vacuum evaporated InSb films", Cryst. Res. Technol. 40(6):573–578.
Miyazaki, T. and Adachi, S., 1991, "Indium Antimonide (InSb) Focal Plane Array (FPA) Detection for Near-Infrared Imaging Microscopy", Appl. Phys.70:1672-1685.
Borowska1 A., Gutek J., Czajka R., Oszwaldowski M., and Richter A., 2005, (Early stages of low temperature epitaxial growth of InSb on GaAs) Cryst. Res. Technol. 40, No. 4/5, 523 – 526.
.Mangal R. K. and Vijay Y. K., 2007, (Study of annealing effects in In–Sb bilayer thin films) Bull. Mater. Sci., 30(2):117–121.
Liang, S., 1962, "Compound Semiconductors", Reinhold, New York, pp227.
A. Borowska1, J. Gutek, R. Czajka, M. Oszwaldowski, and A Richter, 2005, (Early stages of low temperature epitaxial growth of InSb on GaAs) Cryst. Res. Technol. 40(4/5):523 – 526.
Gadkari D. B., Shashidharan P., Lal K. B., and Arora B. M., 2001, (Influence of crystal–melt interface shape on self-seeding and single crystalline quality) Bull. Mater. Sci., 24(5):475–482.
Runyan, W.R., 1975, "Semiconductor Measurements and Instrumentation", McGraw-Hill, Texas series, London, pp.267.
.Senthilkumar, V., Venkatachalam, S. and Vis wanathan, C., 2005, "Influence of substrate temperature on the properties of vacuum evaporated InSb films", Cryst. Res. Technol., 40(6):565-573.
Chou, L.H. 1992, "Thin Solid Films" McGraw-Hill, London, pp. 215, 188.
Clark, A.H., 1980, "Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devises", Academic Press, New York, pp.542.